这是三星在2014年12月发布的一系列固态硬盘，该产品采用三星3bit 3D垂直闪存(V-NAND)技术，性能与耐用性与先前产品相比有大幅度提升。更换了新主控与新闪存的三星850 EVO SSD在各方面都有了极大提升，尤其在写入上更是完全超越过去，而4K与4K-64Thrd性能方面也都更加出色，三星独特创新的3D V-NAND闪存结构，突破了目前传统平面NAND结构面临的密度限制、性能与耐用性问题。3D V-NAND闪存由32个单元层垂直堆叠而成以适应水平空间，并没有减少单元层尺寸，而且由于采用了更小的碳足迹，所以结构密度更高，性能更强。据三星公布的数据，得益于独家的 TurboWrite 缓存加速技术，850 EVO 系列 SSD 的最高读取速度为 550MB/s，最大写入速度为 520MB/s，4K 随机性能读和写分别达到 10K/90k IOPS，此数据比许多企业级和服务器 SSD 高出不少。
